銅はアルミニウムやニッケルなどの金属とは異なり、その表面に緻密で安定した真性不動態層を形成することが困難です。したがって、露出した銅の表面は空気中の酸素や水蒸気によって酸化され、腐食され続けます。銅粉の粒径が小さく比表面積が大きいほど、急速に酸化されて亜酸化銅（Cu2O）や酸化銅（CuO）などの生成物が生成しやすくなります。この酸化物絶縁層は銅粉の導電性を著しく低下させ、粒子の焼結接続を妨げ、その結果、導電性ペーストの性能が低下する。
銅ナノ粒子は、興味深い特性、低コストの調製、および触媒、冷却液、または伝導性インクに多くの潜在的な用途があるため、近年多くの関心を集めています。この研究では、銅ナノ粒子は、不活性ガス保護なしの水中の硫酸銅CUSO4およびホウ酸ナトリウムNABHの化学的還元によって合成されました。
統合回路（IC）テクノロジーの開発により、シリコンベースの金属酸化物半導体（MOS）フィールド効果トランジスタ（FET）のスケーリングが基本的な物理的限界に近づいています。カーボンナノチューブ（CNT）は、原子の厚さとユニークな電気特性により、シリコン時代に有望な材料と見なされており、電力消費を減らしながらトランジスタ性能を改善する可能性があります。高純度アライメント炭素ナノチューブ（A-CNT）は、高電流密度のために高度なICSを駆動するのに理想的な選択肢です。ただし、チャネルの長さ（LCH）が30nmを下回ると、単一ゲート（SG）A-CNT FETの性能が大幅に減少し、主にスイッチング特性が悪化し、漏れ電流が増加すると明らかになります。この記事の目的は、理論的および実験的研究を通じてA-CNT FETの性能劣化のメカニズムを明らかにし、解決策を提案することを目的としています。
グラフェンコーティングされた銅と銀コーティングされた銅は、それぞれが独自の利点と短所を備えた導電率に本質的な違いがあり、適用可能なシナリオも異なります。
